反向传输电容(Crss):340pF,导通电阻(RDS(on)):0.042Ω@10V,22A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):200nC,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):200W,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):2400pF,连续漏极电流(Id):43A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 340pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.042Ω@10V,22A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 200nC | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
耗散功率(Pd) | 200W | |
耗散功率(Pd) | 200W | |
输入电容(Ciss) | 2400pF | |
连续漏极电流(Id) | 43A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.09/个 |
10+ | ¥8.54/个 |
30+ | ¥7.57/个 |
100+ | ¥6.57/个 |
500+ | ¥6.12/个 |
800+ | ¥5.93/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.46
800 PCS/盘
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