导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V,5.1A,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2.5W,连续漏极电流(Id):5.1A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,5.1A | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.435/个 |
100+ | ¥0.344/个 |
300+ | ¥0.299/个 |
2500+ | ¥0.264/个 |
5000+ | ¥0.237/个 |
10000+ | ¥0.223/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.24288
2500 PCS/盘
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