反向传输电容(Crss):45.5pF@30V,导通电阻(RDS(on)):140mΩ@4.5V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17.1nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):984.7pF@30V,连续漏极电流(Id):14A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 45.5pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V,8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17.1nC | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 1.7W | |
输入电容(Ciss) | 984.7pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 14A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.0114/个 |
50+ | ¥1.567/个 |
150+ | ¥1.377/个 |
500+ | ¥1.139/个 |
2500+ | ¥1.0333/个 |
5000+ | ¥0.97/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.95064
2500 PCS/盘
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