反向传输电容(Crss):44pF@25V,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22.4nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):42W,输入电容(Ciss):1287pF@25V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 44pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,20A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 22.4nC | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 42W | |
输入电容(Ciss) | 1287pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.515/个 |
50+ | ¥1.189/个 |
150+ | ¥1.0497/个 |
500+ | ¥0.876/个 |
2500+ | ¥0.798/个 |
5000+ | ¥0.752/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.73416
2500 PCS/盘
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