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IRF7105TRPBF
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IRF7105TRPBF
- 商品编号
- C94064
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000167千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):61pF,反向传输电容(Crss):67pF,导通电阻(RDS(on)):0.1Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.25Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@10V,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):25V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):330pF,输入电容(Ciss):290pF,输出电容(Coss):250pF,输出电容(Coss):210pF,连续漏极电流(Id):3.5A,连续漏极电流(Id):2.3A,连续漏极电流(Id):2.3A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.1Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.25Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 输出电容(Coss) | 250pF | |
| 输出电容(Coss) | 210pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.63/个 |
| 10+ | ¥2.1/个 |
| 30+ | ¥1.87/个 |
| 100+ | ¥1.58/个 |
| 500+ | ¥1.22/个 |
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