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MMBT2369ALT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MMBT2369ALT1G
- 商品编号
- C94404
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):-,直流电流增益(hFE):120@10mA,1V,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):15V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V@100mA,10mA,集电极截止电流(Icbo):0.4uA,集电极电流(Ic):200mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 120@10mA,1V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V@100mA,10mA | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.4uA | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.326/个 |
| 100+ | ¥0.26/个 |
| 300+ | ¥0.227/个 |
| 3000+ | ¥0.178/个 |
| 6000+ | ¥0.158/个 |
| 9000+ | ¥0.148/个 |
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