反向传输电容(Crss):88pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.65Ω@10V,2.1A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):-,耗散功率(Pd):86W,输入电容(Ciss):440pF@100V,连续漏极电流(Id):10.1A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 88pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.65Ω@10V,2.1A | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | - | |
耗散功率(Pd) | 86W | |
输入电容(Ciss) | 440pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 10.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.32/个 |
10+ | ¥2.67/个 |
50+ | ¥2.21/个 |
100+ | ¥1.89/个 |
500+ | ¥1.69/个 |
1000+ | ¥1.59/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.0332
50 PCS/盘
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