导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@10V,230mA,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):360mW,连续漏极电流(Id):230mA,阈值电压(Vgs(th)):1.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,230mA | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 360mW | |
连续漏极电流(Id) | 230mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.408/个 |
100+ | ¥0.329/个 |
300+ | ¥0.289/个 |
3000+ | ¥0.211/个 |
6000+ | ¥0.187/个 |
9000+ | ¥0.175/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.19412
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