反向传输电容(Crss):2.8pF,导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@10V,230mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):360mW,输入电容(Ciss):32pF,输出电容(Coss):7.2pF,连续漏极电流(Id):230mA,阈值电压(Vgs(th)):1.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,230mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 输入电容(Ciss) | 32pF | |
| 输出电容(Coss) | 7.2pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 230mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.389/个 |
| 100+ | ¥0.315/个 |
| 300+ | ¥0.278/个 |
| 3000+ | ¥0.204/个 |
| 6000+ | ¥0.181/个 |
| 9000+ | ¥0.17/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.18768
3000 PCS/盘
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