反向传输电容(Crss):20pF@30V,导通电阻(RDS(on)):0.1Ω@10V,3.5A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@30V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):420pF@30V,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.1Ω@10V,3.5A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC@30V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 420pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.46/个 |
10+ | ¥2.77/个 |
30+ | ¥2.42/个 |
100+ | ¥2.08/个 |
500+ | ¥1.8/个 |
1000+ | ¥1.69/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.689
2500 PCS/盘
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