导通电阻(RDS(on)):55mΩ@4.5V,3.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):900mW,连续漏极电流(Id):2.4A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,3.6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.31/个 |
| 100+ | ¥0.247/个 |
| 300+ | ¥0.215/个 |
| 3000+ | ¥0.192/个 |
| 6000+ | ¥0.173/个 |
| 9000+ | ¥0.163/个 |
| 21000+ | ¥0.161/个 |
| 39000+ | ¥0.16/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.17664
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