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FDN302P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDN302P
- 商品编号
- C96567
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):112pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@4.5V,2.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):14nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):882pF@10V,连续漏极电流(Id):2.4A,阈值电压(Vgs(th)):0.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,2.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 882pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.24/个 |
| 10+ | ¥2.6/个 |
| 30+ | ¥2.32/个 |
| 100+ | ¥1.98/个 |
| 500+ | ¥1.83/个 |
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