反向传输电容(Crss):57.7pF,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):7nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):594.3pF,输出电容(Coss):64.5pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V@50uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 57.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 594.3pF | |
| 输出电容(Coss) | 64.5pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@50uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.352/个 |
| 100+ | ¥0.279/个 |
| 300+ | ¥0.242/个 |
| 3000+ | ¥0.215/个 |
| 6000+ | ¥0.193/个 |
| 9000+ | ¥0.182/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1978
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉51.6元