反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):42.5mΩ@4.5V,4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9.1nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.9W,输入电容(Ciss):294pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42.5mΩ@4.5V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.9W | |
| 输入电容(Ciss) | 294pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.711/个 |
| 50+ | ¥0.558/个 |
| 150+ | ¥0.482/个 |
| 500+ | ¥0.424/个 |
| 3000+ | ¥0.361/个 |
| 6000+ | ¥0.338/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.33212
3000 PCS/盘
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