反向传输电容(Crss):85pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):85mΩ@2.5V,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):450mW,输入电容(Ciss):1050pF,输出电容(Coss):127pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 输入电容(Ciss) | 1050pF | |
| 输出电容(Coss) | 127pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.457/个 |
| 100+ | ¥0.361/个 |
| 300+ | ¥0.313/个 |
| 3000+ | ¥0.277/个 |
| 6000+ | ¥0.248/个 |
| 9000+ | ¥0.234/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.25484
3000 PCS/盘
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