反向传输电容(Crss):84pF,导通电阻(RDS(on)):29mΩ@10V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):450mW,输入电容(Ciss):1155pF,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 输入电容(Ciss) | 1155pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.458/个 |
| 50+ | ¥0.362/个 |
| 150+ | ¥0.314/个 |
| 500+ | ¥0.278/个 |
| 3000+ | ¥0.25/个 |
| 6000+ | ¥0.235/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.23
3000 PCS/盘
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