反向传输电容(Crss):56pF@6V,导通电阻(RDS(on)):49mΩ@10V,4.8A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):504pF@6V,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 56pF@6V | |
导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V,4.8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 504pF@6V | |
连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |