反向传输电容(Crss):1.8pF,导通电阻(RDS(on)):98mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):102nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):1980pF,输出电容(Coss):91pF,连续漏极电流(Id):31A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 102nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 200W | |
输入电容(Ciss) | 1980pF | |
输出电容(Coss) | 91pF | |
连续漏极电流(Id) | 31A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥21.04/个 |
10+ | ¥18.18/个 |
30+ | ¥13.4/个 |
90+ | ¥11.57/个 |
510+ | ¥10.74/个 |
1020+ | ¥10.38/个 |
整盘
单价
整盘单价¥12.328
30 PCS/盘
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