反向传输电容(Crss):330pF,导通电阻(RDS(on)):3mΩ@10V,56A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):130nC,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):98W,输入电容(Ciss):3150pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,56A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 98W | |
| 输入电容(Ciss) | 3150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.78/个 |
| 10+ | ¥2.15/个 |
| 30+ | ¥1.87/个 |
| 100+ | ¥1.54/个 |
| 500+ | ¥1.42/个 |
| 1000+ | ¥1.33/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.256
2000 PCS/盘
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