导通电阻(RDS(on)):13mΩ@10V,43A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):160nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,耗散功率(Pd):230W,输入电容(Ciss):3820pF@25V,连续漏极电流(Id):82A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,43A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 75V | |
耗散功率(Pd) | 230W | |
输入电容(Ciss) | 3820pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 82A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥9.96/个 |
10+ | ¥8.45/个 |
30+ | ¥7.51/个 |
100+ | ¥6.54/个 |
500+ | ¥6.11/个 |
800+ | ¥5.92/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.4464
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