导通电阻(RDS(on)):7mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):33nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):2.3W,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):1800pF@20V,连续漏极电流(Id):13A,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 2.3W | |
耗散功率(Pd) | 50W | |
输入电容(Ciss) | 1800pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | 13A | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.992/个 |
50+ | ¥1.565/个 |
150+ | ¥1.357/个 |
500+ | ¥1.172/个 |
2500+ | ¥0.999/个 |
5000+ | ¥0.968/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.91908
2500 PCS/盘
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