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LM293DR2G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- LM293DR2G
- 商品编号
- C99582
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000207千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
传播延迟(tpd):1.3us,共模抑制比(CMRR):-,单电源:2V~36V,双电源(Vee ~ Vcc):1V~18V,双电源(Vee ~ Vcc):-18V~-1V,响应时间(tr):1.3us,工作温度:-25℃~+85℃,最大电源宽度(Vdd-Vss):36V,比较器数:2,比较器数:双路,滞后电压(Vhys):-,输入偏置电流(Ib):20nA,输入失调电压(Vos):1mV,输入失调电流(Ios):5nA,输出模式:TTL,输出模式:MOS,输出模式:CMOS,输出模式:ECL,输出类型:-,输出类型:开漏,输出类型:轨到轨,静态电流(Iq):0.4mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 传播延迟(tpd) | 1.3us | |
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 单电源 | 2V~36V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 1V~18V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | -18V~-1V | |
| 响应时间(tr) | 1.3us | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V | |
| 比较器数 | 2 | |
| 比较器数 | 双路 | |
| 滞后电压(Vhys) | - | |
| 输入偏置电流(Ib) | 20nA | |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV | |
| 输入失调电流(Ios) | 5nA | |
| 输出模式 | TTL | |
| 输出模式 | MOS | |
| 输出模式 | CMOS | |
| 输出模式 | ECL | |
| 输出类型 | - | |
| 输出类型 | 开漏 | |
| 输出类型 | 轨到轨 | |
| 静态电流(Iq) | 0.4mA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.932/个 |
| 50+ | ¥0.749/个 |
| 150+ | ¥0.657/个 |
| 500+ | ¥0.53/个 |
| 2500+ | ¥0.393/个 |
| 5000+ | ¥0.368/个 |
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