反向传输电容(Crss):15pF@20V,导通电阻(RDS(on)):380mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):120pF@20V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):0.35V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 15pF@20V | |
导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 120pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.35V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.397/个 |
100+ | ¥0.318/个 |
300+ | ¥0.279/个 |
3000+ | ¥0.219/个 |
6000+ | ¥0.195/个 |
9000+ | ¥0.184/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.20148
3000 PCS/盘
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