当前“氮化镓晶体管(GaN HEMT)”共72件相关商品
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誉鸿锦
封装/规格
DFN-8(8x8)
-
DFN-8(5x6)
TO-220
TO-252
TO-252-2L
DFN-3L(8x8)
DFN-8L(8x8)
PDFN-8L(5x6)
SMD-3P,4.6x4.4mm
TOLT-16
DFN-3L(5x6)
DFN-6L(2x2)
DFN-8L(5x6)
DFN8080-8
FCQFN-25(4x5)
PDFN-9L(8x8)
PQFN-3(5x6)
PQFN-3(8x8)
SMD-4P,9x7.6mm
TO-220F-3L
TO-247-3
TO-252-3L
TO-9
TOLL-8
VQFN-52(12x12)
VQFN-FCRLF-15(4x6.5)
VSON-6
WLCSP-8(2.1x3.5)
类型
-
1个N沟道
技术路线
-
漏源电压(Vdss)
-
1200V
650V
连续漏极电流(Id)
10A
12A
13A
14A
16A
17A
18A
3.6A
30A
4.8A
6.5A
7.9A
8A
9.3A
耗散功率(Pd)
-
113W
13.2W
21W
25W
32W
33W
38W
52W
55.5W
56W
75W
78W
89W
阈值电压(Vgs(th))
-
1.6V
1.7V
1.9V
2.1V
2.2V
2.5V
4V
栅极电荷量(Qg)
-
1.35nC
10nC
2.3nC
3.3nC
6.9nC
7.2nC
7.4nC
7nC
8.7nC
8nC
9.6nC
9nC
输入电容(Ciss)
-
125pF
239pF
243pF
46pF
598pF
760pF
83pF
反向传输电容(Crss)
-
0.4pF
0.5pF
0.7pF
0.8pF
1.4pF
1.5pF
1pF
2pF
工作温度
-
-50℃~+150℃
-55℃~+150℃
-55℃~+175℃
输出电容(Coss)
-
27pF
导通电阻(RDS(on))
100mΩ
100mΩ@10V
150mΩ
150mΩ@10V
160mΩ
160mΩ@10V
160mΩ@6V
240mΩ
240mΩ@10V
240mΩ@8V
270mΩ
270mΩ@10V
300mΩ
300mΩ@6V
480mΩ
480mΩ@8V
560mΩ
560mΩ@8V
600mΩ
600mΩ@10V
包装/方式
托盘
管装
编带
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