反向传输电容(Crss):230pF,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@10V,80A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):95nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):255W,输入电容(Ciss):5150pF,输出电容(Coss):800pF,连续漏极电流(Id):80A,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,80A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 输入电容(Ciss) | 5150pF | |
| 输出电容(Coss) | 800pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |