共模抑制比(CMRR):86dB,功能特性:短路保护,功能特性:内置补偿,功能特性:闩锁效应抑制,单电源电压:6V~36V,压摆率(SR):16V/us,增益带宽积(GBP):4MHz,工作温度:0℃~+70℃,放大器数:双路,最大电源宽度(Vdd-Vss):36V,轨到轨:-,输入偏置电流(Ib):100pA,输入失调电压(Vos):3mV,输入失调电压温漂(Vos TC):7uV/℃,输入失调电流(Ios):5pA,输入电压噪声密度(eN):15nV/√Hz@1kHz,输出电流:40mA,静态电流(Iq):1.4mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | FET输入运放 | |
| 共模抑制比(CMRR) | 86dB | |
| 功能特性 | 短路保护 | |
| 功能特性 | 内置补偿 | |
| 功能特性 | 闩锁效应抑制 | |
| 单电源电压 | 6V~36V | |
| 压摆率(SR) | 16V/us | |
| 增益带宽积(GBP) | 4MHz | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 放大器数 | 双路 | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V | |
| 轨到轨 | - | |
| 输入偏置电流(Ib) | 100pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 7uV/℃ | |
| 输入失调电流(Ios) | 5pA | |
| 输入电压噪声密度(eN) | 15nV/√Hz@1kHz | |
| 输出电流 | 40mA | |
| 静态电流(Iq) | 1.4mA |