刷新电流:3mA,功能特性:自动预充电功能,功能特性:内置锁相环,功能特性:数据掩码功能,存储器构架(格式):DDR SDRAM,存储容量:1024Mbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.3V~2.7V,工作电流:85mA,时钟频率(fc):166MHz
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 刷新电流 | 3mA | |
| 功能特性 | 自动预充电功能 | |
| 功能特性 | 内置锁相环 | |
| 功能特性 | 数据掩码功能 | |
| 存储器构架(格式) | DDR SDRAM | |
| 存储容量 | 1024Mbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.3V~2.7V | |
| 工作电流 | 85mA | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz |