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DN3135N8-G
扩展库- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 厂家型号
- DN3135N8-G
- 商品编号
- C145606
- 商品封装
- SOT-89
- 商品毛重
- 0.000138千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):35Ω@0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):350V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):120pF,输出电容(Coss):15pF,连续漏极电流(Id):135mA,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35Ω@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 135mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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