上升时间(tr):80ns,下降时间(tf):40ns,工作温度:-40℃~+150℃@(Tj),工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):200mA,灌电流(IOL):420mA,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,驱动通道数:1,驱动配置:高边
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 80ns | |
下降时间(tf) | 40ns | |
工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
工作电压 | 10V~20V | |
拉电流(IOH) | 200mA | |
灌电流(IOL) | 420mA | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动通道数 | 1 | |
驱动配置 | 高边 |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥17.558/个 |
10+ | ¥15.0774/个 |
50+ | ¥13.595/个 |
100+ | ¥12.106/个 |
500+ | ¥11.411/个 |
1000+ | ¥11.0994/个 |
整盘
单价
整盘单价¥12.603
50 PCS/盘
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