上升时间(tr):1ns,下降时间(tf):1ns,传播延迟 tpHL:30ns,传播延迟 tpLH:33ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:8V~12.6V,拉电流(IOH):3A,灌电流(IOL):3A,特性:-,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 1ns | |
下降时间(tf) | 1ns | |
传播延迟 tpHL | 30ns | |
传播延迟 tpLH | 33ns | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
工作电压 | 8V~12.6V | |
拉电流(IOH) | 3A | |
灌电流(IOL) | 3A | |
特性 | - | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 |