上升时间(tr):130ns,下降时间(tf):75ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:12V~26V,拉电流(IOH):1.5A,灌电流(IOL):2.3A,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,驱动通道数:1,驱动配置:高边
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 130ns | |
下降时间(tf) | 75ns | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
工作电压 | 12V~26V | |
拉电流(IOH) | 1.5A | |
灌电流(IOL) | 2.3A | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动通道数 | 1 | |
驱动配置 | 高边 |