反向传输电容(Crss):98pF,导通电阻(RDS(on)):63mΩ@10V,15A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):55nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):2390pF,输出电容(Coss):240pF,连续漏极电流(Id):29A,阈值电压(Vgs(th)):4V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 98pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V,15A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150W | |
输入电容(Ciss) | 2390pF | |
输出电容(Coss) | 240pF | |
连续漏极电流(Id) | 29A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |