上升时间(tr):12ns,下降时间(tf):12ns,传播延迟 tpHL:30ns,传播延迟 tpLH:30ns,工作温度:-40℃~+125℃,拉电流(IOH):2A,灌电流(IOL):4A,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,驱动通道数:2,驱动配置:低边,驱动配置:高边
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 12ns | |
下降时间(tf) | 12ns | |
传播延迟 tpHL | 30ns | |
传播延迟 tpLH | 30ns | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
拉电流(IOH) | 2A | |
灌电流(IOL) | 4A | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 低边 | |
驱动配置 | 高边 |