反向传输电容(Crss):43pF,导通电阻(RDS(on)):73mΩ@4.5V,2.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):940mW,输入电容(Ciss):291pF,输出电容(Coss):52pF,连续漏极电流(Id):2.8A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 43pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@4.5V,2.8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 940mW | |
输入电容(Ciss) | 291pF | |
输出电容(Coss) | 52pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |