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NCP5111DR2G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NCP5111DR2G
- 商品编号
- C184093
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.0006千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
上升时间(tr):85ns,下降时间(tf):35ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):250mA,灌电流(IOL):500mA,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 上升时间(tr) | 85ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 250mA | |
| 灌电流(IOL) | 500mA | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |
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