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1个N沟道耐压:100V 电流:70A

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品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
厂家型号: ME50N10T-VB
商品编号: C18794942
商品封装: TO-220AB
商品毛重: 0.00273千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):110pF,导通电阻(RDS(on)):0.037Ω@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1800pF,输出电容(Coss):210pF,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	110pF
导通电阻(RDS(on))	0.037Ω@10V,30A
工作温度	-55℃~+175℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	-
漏源电压(Vdss)	100V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	-
输入电容(Ciss)	1800pF
输出电容(Coss)	210pF
连续漏极电流(Id)	70A
阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA