反向传输电容(Crss):103pF,导通电阻(RDS(on)):1.3mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):1.8mΩ@4.5V,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):72.8nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):83W,输入电容(Ciss):5458pF,输出电容(Coss):1395pF,连续漏极电流(Id):85A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 103pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@4.5V | |
工作温度 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 72.8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 83W | |
输入电容(Ciss) | 5458pF | |
输出电容(Coss) | 1395pF | |
连续漏极电流(Id) | 85A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |