反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@10V,80A,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):80nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):225W,输入电容(Ciss):4120pF,输出电容(Coss):1250pF,连续漏极电流(Id):140A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 65pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,80A | |
工作温度 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 225W | |
输入电容(Ciss) | 4120pF | |
输出电容(Coss) | 1250pF | |
连续漏极电流(Id) | 140A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |