反向传输电容(Crss):75pF,导通电阻(RDS(on)):42mΩ@10V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):950pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.399/个 |
| 100+ | ¥0.319/个 |
| 300+ | ¥0.279/个 |
| 1000+ | ¥0.249/个 |
| 5000+ | ¥0.225/个 |
| 10000+ | ¥0.213/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.22908
1000 PCS/盘
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