反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):13.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):54nC@10V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |