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SIHP085N60EF-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SIHP085N60EF-GE3
- 商品编号
- C20346129
- 商品封装
- TO-220AB
- 商品毛重
- 0.002718千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.084Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):63nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):184W,连续漏极电流(Id):34A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.084Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 184W | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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