功能特性:过零触发,可控硅类型:双向可控硅,工作温度:-55℃~+110℃,正向压降(Vf):1.23V,正向电流:60mA,浪涌电流:1A,端子数:4,耗散功率(Pd):330mW,负载电压:800V,输出电流(It(rms)):100mA,过零功能:有,通道数:1,隔离电压(Vrms):3.75kV,静态dv/dt:600V/us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 可控硅输出光耦 | |
| 功能特性 | 过零触发 | |
| 可控硅类型 | 双向可控硅 | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 正向压降(Vf) | 1.23V | |
| 正向电流 | 60mA | |
| 浪涌电流 | 1A | |
| 端子数 | 4 | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 负载电压 | 800V | |
| 输出电流(It(rms)) | 100mA | |
| 过零功能 | 有 | |
| 通道数 | 1 | |
| 隔离电压(Vrms) | 3.75kV | |
| 静态dv/dt | 600V/us |