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HM120N04-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- HM120N04-VB
- 商品编号
- C22389058
- 商品封装
- TO-220AB
- 商品毛重
- 0.0023千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):310pF,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):130nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,输入电容(Ciss):2900pF,输出电容(Coss):750pF,连续漏极电流(Id):110A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输入电容(Ciss) | 2900pF | |
| 输出电容(Coss) | 750pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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