工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电压(Vgs):5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3W,连续漏极电流(Id):0.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | 5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.197/个 |
| 50+ | ¥0.938/个 |
| 150+ | ¥0.827/个 |
| 1000+ | ¥0.689/个 |
| 2000+ | ¥0.627/个 |
| 5000+ | ¥0.59/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.63388
1000 PCS/盘
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