上升时间(tr):4us@2mA,100Ω,下降时间:3us@2mA,100Ω,功能特性:-,工作温度:-30℃~+110℃,总功耗(Pd):200mW,正向压降(Vf):1.2V,正向电流(If):50mA,电流传输比(CTR)最小值:50%,直流反向耐压(Vr):6V,负载电压:35V,输入类型:DC,输出电流:50mA,输出类型:光电三极管,输出通道数:1,隔离电压(Vrms):5000V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.1V@1mA,20mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 上升时间(tr) | 4us@2mA,100Ω | |
| 下降时间 | 3us@2mA,100Ω | |
| 功能特性 | - | |
| 工作温度 | -30℃~+110℃ | |
| 总功耗(Pd) | 200mW | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 正向电流(If) | 50mA | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 50% | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 35V | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.1V@1mA,20mA |