反向传输电容(Crss):325pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.011Ω@10V,20A,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):47nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):4200pF@25V,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 325pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.011Ω@10V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 136W | |
输入电容(Ciss) | 4200pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |