反向传输电容(Crss):170pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.024Ω@10V,50A,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):66nC@5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):190pF@25V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 170pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.024Ω@10V,50A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 66nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 150W | |
输入电容(Ciss) | 190pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |