上升时间(tr):3us,下降时间:4us,工作温度:-55℃~+125℃,总功耗(Pd):200mW,正向压降(Vf):1.2V,正向电流(If):50mA,电流传输比(CTR)最大值/饱和值:400%,电流传输比(CTR)最小值:20%,直流反向耐压(Vr):6V,负载电压:80V,输入类型:DC,输出电流:40mA,输出类型:光电三极管,输出通道数:4,隔离电压(Vrms):3750V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.4V@8mA,2.4mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 光耦-光电晶体管输出 | |
上升时间(tr) | 3us | |
下降时间 | 4us | |
工作温度 | -55℃~+125℃ | |
总功耗(Pd) | 200mW | |
正向压降(Vf) | 1.2V | |
正向电流(If) | 50mA | |
电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 400% | |
电流传输比(CTR)最小值 | 20% | |
直流反向耐压(Vr) | 6V | |
负载电压 | 80V | |
输入类型 | DC | |
输出电流 | 40mA | |
输出类型 | 光电三极管 | |
输出通道数 | 4 | |
隔离电压(Vrms) | 3750V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.4V@8mA,2.4mA |