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K4FBE3D4HM-TFCL
扩展库- 品牌名称
- SAMSUNG(三星半导体)
- 厂家型号
- K4FBE3D4HM-TFCL
- 商品编号
- C2920235
- 商品封装
- FBGA-200
- 商品毛重
- 0.000238千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
刷新电流:2mA,功能特性:写入均衡功能,功能特性:自动自刷新,功能特性:自动预充电功能,功能特性:ZQ校准功能,功能特性:异步复位功能,功能特性:数据掩码功能,存储器构架(格式):LPDDR4 SDRAM,存储容量:32Gbit,工作温度:-40℃~+95℃,工作电压:1.7V~1.95V,工作电压:1.06V~1.17V,工作电流:12mA,时钟频率(fc):2133MHz
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 刷新电流 | 2mA | |
| 功能特性 | 写入均衡功能 | |
| 功能特性 | 自动自刷新 | |
| 功能特性 | 自动预充电功能 | |
| 功能特性 | ZQ校准功能 | |
| 功能特性 | 异步复位功能 | |
| 功能特性 | 数据掩码功能 | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V | |
| 工作电流 | 12mA | |
| 时钟频率(fc) | 2133MHz |