反向传输电容(Crss):67pF,导通电阻(RDS(on)):31mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):16V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):498pF@8V,连续漏极电流(Id):4.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 498pF@8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.224/个 |
| 100+ | ¥0.176/个 |
| 300+ | ¥0.151/个 |
| 3000+ | ¥0.128/个 |
| 6000+ | ¥0.114/个 |
| 9000+ | ¥0.107/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11776
3000 PCS/盘
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