反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):0.1A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):27V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.1A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 27V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0686/个 |
| 50+ | ¥0.842/个 |
| 150+ | ¥0.745/个 |
| 1000+ | ¥0.607/个 |
| 2000+ | ¥0.553/个 |
| 5000+ | ¥0.521/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.55844
1000 PCS/盘
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